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RSS100N03FU6TB

RSS100N03FU6TB
Mfr. #:
RSS100N03FU6TB
Hersteller:
ROHM Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET 30V 10A N CHANNEL
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
RSS100N03FU6TB Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
RSS100N03FU6TB DatasheetRSS100N03FU6TB Datasheet (P4)
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
ROHM Halbleiter
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
SOP-8
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
30 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
10 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
13 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
2 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Verpackung:
Spule
Höhe:
1.5 mm
Länge:
5 mm
Serie:
RSS100N03
Transistortyp:
1 N-Channel
Breite:
4.4 mm
Marke:
ROHM Halbleiter
Abfallzeit:
24 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
16 ns
Werkspackungsmenge:
2500
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
55 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
10 ns
Teil # Aliase:
RSS100N03
Gewichtseinheit:
0.030018 oz
Tags
RSS100N03F, RSS100N0, RSS100N, RSS100, RSS10, RSS1, RSS
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ure Electronics
N-Channel 2 W 30 V 18.9 mOhm Surface Mount 4 V Drive MosFet - SOIC-8
***ical
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOP T/R
***ronik
N-CH 30V 10A 13mOhm SOP-8 RoHSconf
***ment14 APAC
MOSFET, N, 30V, 10A; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):9.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.5V; Power Dissipation Pd:2W; Transistor Case Style:SOP; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:10A; On State Resistance @ Vgs = 4.5V:12.5mohm; On State resistance @ Vgs = 10V:9.5mohm; Package / Case:SOP-8; Power Dissipation Pd:2W; Power Dissipation Pd:2W; Pulse Current Idm:40A; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:2.5V; Voltage Vgs th Min:1V
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
RSS100N03FU6TB
DISTI # C1S625900633859		ROHM SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOP T/R
RoHS: Compliant		2
  • 1:$1.8800
RSS100N03FU6TB
DISTI # RSS100N03FU6TB-ND		ROHM SemiconductorMOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
  • 2500:$0.6237
RSS100N03FU6TB
DISTI # 755-RSS100N03FU6TB		ROHM SemiconductorMOSFET 30V 10A N CHANNEL
RoHS: Compliant		0
    RSS100N03FU6TBROHM Semiconductor 2547
      Bild Teil # Beschreibung
      RSS100N03FU6TB

      Mfr.#: RSS100N03FU6TB

      OMO.#: OMO-RSS100N03FU6TB-ROHM-SEMI

      		 MOSFET 30V 10A N CHANNEL
      RSS100N03

      Mfr.#: RSS100N03

      OMO.#: OMO-RSS100N03-1190

      		 Neu und Original
      RSS100N03 TB

      Mfr.#: RSS100N03 TB

      OMO.#: OMO-RSS100N03-TB-1190

      		 Neu und Original
      RSS100N03FD03FD3TB

      Mfr.#: RSS100N03FD03FD3TB

      OMO.#: OMO-RSS100N03FD03FD3TB-1190

      		 Neu und Original
      RSS100N03FD5TB

      Mfr.#: RSS100N03FD5TB

      OMO.#: OMO-RSS100N03FD5TB-1190

      		 Neu und Original
      RSS100N03FU6TB SOP8

      Mfr.#: RSS100N03FU6TB SOP8

      OMO.#: OMO-RSS100N03FU6TB-SOP8-1190

      		 Neu und Original
      RSS100N03FW3TB1

      Mfr.#: RSS100N03FW3TB1

      OMO.#: OMO-RSS100N03FW3TB1-1190

      		 Neu und Original
      RSS100N03TB

      Mfr.#: RSS100N03TB

      OMO.#: OMO-RSS100N03TB-ROHM-SEMI

      		 MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
      RSS100N03TB1

      Mfr.#: RSS100N03TB1

      OMO.#: OMO-RSS100N03TB1-1190

      		 Neu und Original
      RSS100N3

      Mfr.#: RSS100N3

      OMO.#: OMO-RSS100N3-1190

      		 Neu und Original
      Verfügbarkeit
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      Available
      Auf Bestellung:
      2500
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