OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
0 Wagen

BSC098N10NS5

BSC098N10NS5
Mfr. #:
BSC098N10NS5
Hersteller:
Infineon Technologies
Beschreibung:
MOSFET Pwr transistor 100V OptiMOS 5
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
BSC098N10NS5 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Infineon-Technologien
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single
Serie
BSC098N10
Verpackung
Spule
Teil-Aliasnamen
BSC098N10NS5ATMA1 SP001241598
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
TDSON-8
Technologie
Si
Aufbau
Single
Pd-Verlustleistung
69 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
4 ns
Anstiegszeit
5 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
20 V
ID-Dauer-Drain-Strom
60 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
100 V
Vgs-th-Gate-Source-Threshold-Voltage
2.2 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
14 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
17 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
10 ns
Qg-Gate-Ladung
22 nC
Vorwärts-Transkonduktanz-Min
28 S
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
BSC098, BSC09, BSC0, BSC
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
BSC098N10NS5ATMA1
DISTI # BSC098N10NS5ATMA1CT-ND		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 100V 60A 8TDSON
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		1988In Stock
  • 1000:$0.7435
  • 500:$0.9418
  • 100:$1.2144
  • 10:$1.5370
  • 1:$1.7300
BSC098N10NS5ATMA1
DISTI # BSC098N10NS5ATMA1DKR-ND		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 100V 60A 8TDSON
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®		1988In Stock
  • 1000:$0.7435
  • 500:$0.9418
  • 100:$1.2144
  • 10:$1.5370
  • 1:$1.7300
BSC098N10NS5ATMA1
DISTI # BSC098N10NS5ATMA1TR-ND		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 100V 60A 8TDSON
RoHS: Compliant
Min Qty: 5000
Container: Tape & Reel (TR)		On Order
  • 5000:$0.6401
BSC098N10NS5ATMA1
DISTI # BSC098N10NS5ATMA1		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin TDSON T/R - Tape and Reel (Alt: BSC098N10NS5ATMA1)
RoHS: Compliant
Min Qty: 5000
Container: Reel		Americas - 0
  • 5000:$0.5039
  • 10000:$0.4859
  • 20000:$0.4679
  • 30000:$0.4519
  • 50000:$0.4439
BSC098N10NS5ATMA1
DISTI # BSC098N10NS5		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin TDSON T/R (Alt: BSC098N10NS5)
RoHS: Compliant
Min Qty: 5000
Container: Tape and Reel		Asia - 0
    BSC098N10NS5ATMA1
    DISTI # 12AC9448    		Infineon Technologies AGMOSFET, N-CH, 100V, 60A, TDSON,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:60A,Drain Source Voltage Vds:100V,On Resistance Rds(on):0.0082ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:10V,Threshold Voltage Vgs:3V,Power DissipationRoHS Compliant: Yes0
    • 1:$1.4400
    • 10:$1.2300
    • 25:$1.1300
    • 50:$1.0400
    • 100:$0.9410
    • 250:$0.8870
    • 500:$0.8320
    • 1000:$0.6570
    BSC098N10NS5
    DISTI # 726-BSC098N10NS5    		Infineon Technologies AGMOSFET Pwr transistor 100V OptiMOS 5
    RoHS: Compliant    		7104
    • 1:$1.4700
    • 10:$1.2500
    • 100:$0.9600
    • 500:$0.8500
    • 1000:$0.6800
    • 5000:$0.6000
    BSC098N10NS5ATMA1
    DISTI # 726-BSC098N10NS5ATMA    		Infineon Technologies AGMOSFET Pwr transistor 100V OptiMOS 5
    RoHS: Compliant    		0
    • 1:$1.4400
    • 10:$1.2300
    • 100:$0.9410
    • 500:$0.8320
    • 1000:$0.6570
    • 5000:$0.5820
    BSC098N10NS5ATMA1
    DISTI # 2709890    		Infineon Technologies AGMOSFET, N-CH, 100V, 60A, TDSON
    RoHS: Compliant    		0
    • 1:$2.7700
    • 10:$2.4500
    • 100:$1.9400
    BSC098N10NS5ATMA1
    DISTI # 2709890    		Infineon Technologies AGMOSFET, N-CH, 100V, 60A, TDSON
    RoHS: Compliant    		0
    • 5:£1.3100
    • 25:£1.1900
    • 100:£0.9080
    Bild Teil # Beschreibung
    BSC098N10NS5ATMA1

    Mfr.#: BSC098N10NS5ATMA1

    OMO.#: OMO-BSC098N10NS5ATMA1

    		 MOSFET Pwr transistor 100V OptiMOS 5
    BSC098N10NS5

    Mfr.#: BSC098N10NS5

    OMO.#: OMO-BSC098N10NS5-1190

    		 MOSFET Pwr transistor 100V OptiMOS 5
    BSC098N10NS5ATMA1INFINEO

    Mfr.#: BSC098N10NS5ATMA1INFINEO

    OMO.#: OMO-BSC098N10NS5ATMA1INFINEO-1190

    		 Neu und Original
    BSC098N10NS5ATMA1-CUT TAPE

    Mfr.#: BSC098N10NS5ATMA1-CUT TAPE

    OMO.#: OMO-BSC098N10NS5ATMA1-CUT-TAPE-1190

    		 Neu und Original
    BSC098N10NS5ATMA1

    Mfr.#: BSC098N10NS5ATMA1

    OMO.#: OMO-BSC098N10NS5ATMA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

    		 IGBT Transistors MOSFET Pwr transistor 100V OptiMOS 5
    Verfügbarkeit
    Aktie:
    Available
    Auf Bestellung:
    3500
    Menge eingeben:
    Der aktuelle Preis von BSC098N10NS5 dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
    Referenzpreis (USD)
    Menge
    Stückpreis
    ext. Preis
    1
    0,84 $
    0,84 $
    10
    0,80 $
    7,99 $
    100
    0,76 $
    75,74 $
    500
    0,72 $
    357,65 $
    1000
    0,67 $
    673,20 $
    Beginnen mit
    Top