FQU1N60TU

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-251-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

11.5 Ohms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.5 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

6.3 mm

Länge:

6.8 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

2.5 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

0.83 S

Abfallzeit:

25 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

25 ns

Werkspackungsmenge:

70

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

7 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

5 ns

Teil # Aliase:

FQU1N60TU_NL

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

FQU1N6, FQU1N, FQU1, FQU