DMN2036UCB4-7

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

X2-WLB1616-4

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, NPN

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

4.5 V

Qg - Gate-Ladung:

12.6 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.45 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Transistortyp:

2 N-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

572 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

278 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

738 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

183 ns

Tags

DMN20, DMN2, DMN