STW13NK100Z

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-247-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

1 kV

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

13 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

700 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

190 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

350 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

SuperMESH

Verpackung:

Rohr

Höhe:

20.15 mm

Länge:

15.75 mm

Serie:

STW13NK100Z

Transistortyp:

1 N-Channel Power MOSFET

Typ:

MOSFET

Breite:

5.15 mm

Marke:

STMicroelectronics

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

14 S

Abfallzeit:

45 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

35 ns

Werkspackungsmenge:

600

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

145 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

45 ns

Gewichtseinheit:

1.340411 oz

Tags

STW13NK, STW13N, STW13, STW1, STW