ISS55EP06LMXTSA1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-23-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

- 60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

- 0.16 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

5.5 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

- 2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

- 0.59 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

0.4 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Serie:

ISS06P011

Transistortyp:

1 P-Channel

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

0.28 S

Abfallzeit:

1.2 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

1.4 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

4.9 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

1 ns

Teil # Aliase:

ISS55EP06LM SP004987278

Tags

ISS5, ISS