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SI4470EY-T1-GE3

SI4470EY-T1-GE3
Mfr. #:
SI4470EY-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 9A 8-SOIC
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SI4470EY-T1-GE3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
SI4470EY-T1-GE3 DatasheetSI4470EY-T1-GE3 Datasheet (P4-P5)
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
VISHAY
Produktkategorie
FETs - Einzeln
Serie
TrenchFET
Verpackung
Schnittband (CT)
Teilestatus
Obsolet
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C
9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein)
6V, 10V
Vgs(th) (Max) @ ID
2V @ 250A (Min)
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
70nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.85W (Ta)
Rds On (Max) @ ID, Vgs
11 mOhm @ 12A, 10V
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Oberflächenmontage
Gerätepaket des Lieferanten
8-SO
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tags
SI4470EY-T1, SI4470EY-T, SI4470E, SI4470, SI447, SI44, SI4
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ark
N CH MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9A; Drai
***et Europe
Trans MOSFET N-CH 60V 9A 8-Pin SOIC N T/R
***i-Key
MOSFET N-CH 60V 9A 8-SOIC
***nell
MOSFET,N CH,DIODE,60V,12.7A,8-SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; On State Resistance:0.009ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Voltage Vgs Max:20V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; Current Id Max:12.7A; Power Dissipation:3.75W
***ment14 APAC
MOSFET,N CH,DIODE,60V,12.7A,8-SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.009ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V; Power Dissipation Pd:3.75W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:12.7A; Power Dissipation Pd:3.75W; Voltage Vgs Max:20V
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SI4470EY-T1-GE3
DISTI # SI4470EY-T1-GE3TR-ND		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 9A 8-SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
    SI4470EY-T1-GE3
    DISTI # SI4470EY-T1-GE3CT-ND    		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 9A 8-SOIC
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Cut Tape (CT)    		Limited Supply - Call
      SI4470EY-T1-GE3
      DISTI # SI4470EY-T1-GE3DKR-ND      		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 9A 8-SOIC
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 1
      Container: Digi-Reel®      		Limited Supply - Call
        SI4470EY-T1-GE3
        DISTI # 781-SI4470EY-GE3        		Vishay IntertechnologiesMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4850EY-GE3
        RoHS: Compliant        		0
          Bild Teil # Beschreibung
          SI4470EY-T1-E3

          Mfr.#: SI4470EY-T1-E3

          OMO.#: OMO-SI4470EY-T1-E3

          		 MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4850EY-GE3
          SI4470EY

          Mfr.#: SI4470EY

          OMO.#: OMO-SI4470EY-1190

          		 MOSFET 60V 12.7A 3.75W
          SI4470EY-T1

          Mfr.#: SI4470EY-T1

          OMO.#: OMO-SI4470EY-T1-1190

          		 MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4850EY-GE3
          SI4470EY-T1-E3

          Mfr.#: SI4470EY-T1-E3

          OMO.#: OMO-SI4470EY-T1-E3-VISHAY

          		 MOSFET N-CH 60V 9A 8-SOIC
          SI4470EY-T1-GE3

          Mfr.#: SI4470EY-T1-GE3

          OMO.#: OMO-SI4470EY-T1-GE3-VISHAY

          		 MOSFET N-CH 60V 9A 8-SOIC
          SI4470EY-TI

          Mfr.#: SI4470EY-TI

          OMO.#: OMO-SI4470EY-TI-1190

          		 Neu und Original
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          100
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          500
          0,00 $
          0,00 $
          1000
          0,00 $
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