ZXMC3A16DN8TC

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

6.4 A, 5.4 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

35 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.1 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.5 mm

Länge:

5 mm

Serie:

ZXMC3A

Transistortyp:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

4 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

9.4 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

6.4 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

21.6 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

3 ns

Gewichtseinheit:

0.002610 oz

Tags

ZXMC3A16DN8T, ZXMC3A16D, ZXMC3A16, ZXMC3A1, ZXMC3A, ZXMC3, ZXMC, ZXM