SI7439DP-T1-GE3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Vishay

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PowerPAK-SO-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

150 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

5.2 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

90 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

88 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

5.4 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

TrenchFET

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.04 mm

Länge:

6.15 mm

Serie:

SI7

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

5.15 mm

Marke:

Vishay / Siliconix

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

19 S

Abfallzeit:

64 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

46 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

115 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

25 ns

Teil # Aliase:

SI7439DP-GE3

Gewichtseinheit:

0.017870 oz

Tags

SI7439DP-T, SI7439, SI743, SI74, SI7