STFI4N62K3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-281-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

620 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

3.8 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.7 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3.75 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

22 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

25 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Serie:

STFI4N62K3

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

STMicroelectronics

Abfallzeit:

19 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

9 ns

Werkspackungsmenge:

1500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

29 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

10 ns

Gewichtseinheit:

0.079014 oz

Tags

STFI4N, STFI4, STFI, STF