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SI7218DN-T1-GE3

SI7218DN-T1-GE3
Mfr. #:
SI7218DN-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
Beschreibung:
RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 24A 23W 25mohm @ 10V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SI7218DN-T1-GE3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Vishay Siliconix
Produktkategorie
FETs - Arrays
Serie
GrabenFETR
Verpackung
Band & Spule (TR)
Teil-Aliasnamen
SI7218DN-GE3
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
PowerPAKR 1212-8 Dual
Technologie
Si
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Oberflächenmontage
Anzahl der Kanäle
2 Channel
Lieferanten-Geräte-Paket
PowerPAKR 1212-8 Dual
Aufbau
Dual
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
Leistung max
23W
Transistor-Typ
2 N-Channel
Drain-zu-Source-Spannung-Vdss
30V
Eingangskapazität-Ciss-Vds
700pF @ 15V
FET-Funktion
Standard
Strom-Dauer-Drain-Id-25°C
24A
Rds-On-Max-Id-Vgs
25 mOhm @ 8A, 10V
Vgs-th-Max-Id
3V @ 250μA
Gate-Lade-Qg-Vgs
17nC @ 10V
Pd-Verlustleistung
2.6 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
10 ns
Anstiegszeit
12 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
20 V
ID-Dauer-Drain-Strom
8 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
25 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
10 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
15 ns
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
SI7218, SI721, Si72, SI7
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
***et Europe
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
***i-Key
MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8
***
DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S)
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SI7218DN-T1-GE3
DISTI # SI7218DN-T1-GE3-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
  • 3000:$0.7392
SI7218DN-T1-GE3
DISTI # 781-SI7218DN-GE3		Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 24A 23W 25mohm @ 10V
RoHS: Compliant		0
    SI7218DN-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 24A 23W 25mohm @ 10V
    RoHS: Compliant    		Americas -
      Bild Teil # Beschreibung
      SI7218DN-T1-GE3

      Mfr.#: SI7218DN-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SI7218DN-T1-GE3

      		 MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI7228DN-GE3
      SI7218DN-T1-GE3

      Mfr.#: SI7218DN-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SI7218DN-T1-GE3-VISHAY

      		 RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 24A 23W 25mohm @ 10V
      SI7218DN

      Mfr.#: SI7218DN

      OMO.#: OMO-SI7218DN-1190

      		 Neu und Original
      SI7218DN-T1-E3

      Mfr.#: SI7218DN-T1-E3

      OMO.#: OMO-SI7218DN-T1-E3-VISHAY

      		 MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8
      Verfügbarkeit
      Aktie:
      Available
      Auf Bestellung:
      3000
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      1,11 $
      1,11 $
      10
      1,05 $
      10,53 $
      100
      1,00 $
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      0,94 $
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