TSM070NA04LCR RLG

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Taiwan Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PDFN-56-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

40 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

91 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

7 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

23.5 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

113 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Serie:

TSM

Marke:

Taiwan Halbleiter

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

41 S

Abfallzeit:

8.4 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

8.9 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

48 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

14.1 ns

Tags

TSM07, TSM0, TSM