OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
0 Wagen

BSC205N10LS G

BSC205N10LS G
Mfr. #:
BSC205N10LS G
Hersteller:
Infineon Technologies
Beschreibung:
MOSFET N-Ch 100V 7.4A TDSON-8
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
BSC205N10LS G Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Infineon
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
TDSON-8
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
100 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
7.4 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
20.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
76 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Handelsname:
OptiMOS
Verpackung:
Spule
Höhe:
1.27 mm
Länge:
5.9 mm
Serie:
BSC205N10
Transistortyp:
1 N-Channel
Breite:
5.15 mm
Marke:
Infineon-Technologien
Abfallzeit:
4 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
24 ns
Werkspackungsmenge:
5000
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
30 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
14 ns
Teil # Aliase:
BSC205N10LSGATMA1 SP000379616
Tags
BSC205N10LSG, BSC205, BSC20, BSC2, BSC
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
BSC205N10LS G
DISTI # BSC205N10LSGTR-ND		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 5000
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
    BSC205N10LS G
    DISTI # BSC205N10LSGCT-ND    		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Cut Tape (CT)    		Limited Supply - Call
      BSC205N10LS G
      DISTI # BSC205N10LSGDKR-ND      		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 1
      Container: Digi-Reel®      		Limited Supply - Call
        BSC205N10LS G
        DISTI # 726-BSC205N10LSG        		Infineon Technologies AGMOSFET N-Ch 100V 7.4A TDSON-8
        RoHS: Compliant        		0
          BSC205N10LSGInfineon Technologies AGPower Field-Effect Transistor, 7.4A I(D), 100V, 0.0205ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
          RoHS: Compliant          		6751
          • 1000:$0.5000
          • 500:$0.5300
          • 100:$0.5500
          • 25:$0.5700
          • 1:$0.6200
          BSC205N10LS GInfineon Technologies AG 
          RoHS: Not Compliant          		10000
          • 1000:$0.5000
          • 500:$0.5300
          • 100:$0.5500
          • 25:$0.5700
          • 1:$0.6200
          BSC205N10LSGATMA1Infineon Technologies AGPower Field-Effect Transistor, 7.4A I(D), 100V, 0.0205ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
          RoHS: Not Compliant          		10000
          • 1000:$0.5700
          • 500:$0.6000
          • 100:$0.6300
          • 25:$0.6600
          • 1:$0.7100
          BSC205N10LSGInfineon Technologies AG7.4 A, 100 V, 0.0205 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET4899
          • 3498:$0.4095
          • 1642:$0.4290
          • 1:$1.5600
          Bild Teil # Beschreibung
          BSC205N10LS G

          Mfr.#: BSC205N10LS G

          OMO.#: OMO-BSC205N10LS-G

          		 MOSFET N-Ch 100V 7.4A TDSON-8
          BSC205N10LS

          Mfr.#: BSC205N10LS

          OMO.#: OMO-BSC205N10LS-1190

          		 Neu und Original
          BSC205N10LSG

          Mfr.#: BSC205N10LSG

          OMO.#: OMO-BSC205N10LSG-1190

          		 Power Field-Effect Transistor, 7.4A I(D), 100V, 0.0205ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
          BSC205N10LSGATMA1

          Mfr.#: BSC205N10LSGATMA1

          OMO.#: OMO-BSC205N10LSGATMA1-1190

          		 Power Field-Effect Transistor, 7.4A I(D), 100V, 0.0205ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
          BSC205N10LS G

          Mfr.#: BSC205N10LS G

          OMO.#: OMO-BSC205N10LS-G-INFINEON-TECHNOLOGIES

          		 IGBT Transistors MOSFET N-Ch 100V 7.4A TDSON-8
          Verfügbarkeit
          Aktie:
          Available
          Auf Bestellung:
          3500
          Menge eingeben:
          Der aktuelle Preis von BSC205N10LS G dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
          Beginnen mit
          Top