VP2206N3-G-P003

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Mikrochip

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-92-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

640 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.5 Ohms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

5.33 mm

Länge:

5.21 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

4.19 mm

Marke:

Mikrochip-Technologie

Abfallzeit:

22 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

16 ns

Werkspackungsmenge:

2000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

16 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

4 ns

Gewichtseinheit:

0.016000 oz

Tags

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