FDC6322C

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SSOT-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

25 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

220 mA, 460 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

5 Ohms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

8 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

900 mW

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.1 mm

Länge:

2.9 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Transistortyp:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Typ:

FET

Breite:

1.6 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

0.2 S, 0.8 S

Abfallzeit:

4.5 ns, 8 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

4.5 ns, 8 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

4 ns, 55 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

5 ns, 7 ns

Teil # Aliase:

FDC6322C_NL

Gewichtseinheit:

0.000557 oz

Tags

FDC6322C, FDC6322, FDC632, FDC63, FDC6, FDC