IRFH4257DTRPBF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PQFN-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

25 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

25 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

4.7 mOhms, 1.8 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

9.7 nC, 23 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

25 W, 28 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.9 mm

Länge:

6 mm

Transistortyp:

2 N-Channel

Breite:

5 mm

Marke:

Infineon / IR

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

100 S, 138 S

Abfallzeit:

20 ns, 25 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

47 ns, 51 ns

Werkspackungsmenge:

4000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

12 ns, 20 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

8.2 ns, 12 ns

Teil # Aliase:

SP001572506

Tags

IRFH425, IRFH4, IRFH, IRF