GC08MPS12-252

GC08MPS12-252
Mfr. #:
GC08MPS12-252
Hersteller:
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung:
Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Merged PiN Schottky (MPS) Diode 1200V 8A TO-252-2
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
GC08MPS12-252 Datenblatt
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Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
GeneSiC Halbleiter
Produktkategorie:
Schottky-Dioden und Gleichrichter
RoHS:
Y
Produkt:
Schottky-Siliziumkarbid-Dioden
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
TO-252-2
Wenn - Vorwärtsstrom:
40 A
Vrrm - Repetitive Sperrspannung:
1200 V
Vf - Durchlassspannung:
1.5 V
Ifsm - Vorwärtsstoßstrom:
65 A
Aufbau:
Single
Technologie:
SiC
Ir - Gegenstrom:
0.7 uA
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 175 C
Verpackung:
Spule
Marke:
GeneSiC Halbleiter
Pd - Verlustleistung:
272 W
Produktart:
Schottky-Dioden und Gleichrichter
Werkspackungsmenge:
2500
Unterkategorie:
Dioden & Gleichrichter
Vr - Sperrspannung:
1200 V
Tags
GC08, GC0
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1200V & 1700V SiC MPS Schottky Diodes
GeneSiC Semiconductor 1200V and 1700V SiC MPS Schottky Diodes provide low standby power losses and improved circuit efficiency. The 1200V SiC Diodes have a forward current range of 1A to 200A. The 1700V SiC Diodes have a forward current range of 5A to 50A. Both the 1200V and 1700V Schottky Diodes offer the advantage of paralleling devices without a thermal runaway. Additional features include low reverse recovery current, low device capacitance, and low reverse leakage current. The SiC MPS Schottky Diodes are ideal for a wide range of applications including LED lighting, medical imaging systems, high voltage sensing, and electric vehicles.
Bild Teil # Beschreibung
GC08MPS12-220

Mfr.#: GC08MPS12-220

OMO.#: OMO-GC08MPS12-220

Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Merged PiN Schottky (MPS) Diode 1200V 8A TO-220-2
GC08MPS12-252

Mfr.#: GC08MPS12-252

OMO.#: OMO-GC08MPS12-252

Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Merged PiN Schottky (MPS) Diode 1200V 8A TO-252-2
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