SI5504BDC-T1-GE3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Vishay

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

ChipFET-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

4 A, 3.7 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

65 mOhms, 140 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

7 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

3.12 W, 3.1 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

TrenchFET

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.1 mm

Länge:

3.05 mm

Serie:

SI54

Transistortyp:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Breite:

1.65 mm

Marke:

Vishay / Siliconix

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

5 S, 3.5 S

Abfallzeit:

25 ns, 10 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

80 ns, 60 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

12 ns, 10 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

15 ns, 30 ns

Gewichtseinheit:

0.002998 oz

Tags

SI5504BDC-T, SI5504B, SI5504, SI550, SI55, SI5