2DA1213O-13

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-89-3

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

- 50 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

- 50 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

- 5 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

- 0.5 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

- 2 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

160 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

2DA12

DC-Stromverstärkung hFE Max:

140 at 500 mA, 2 V

Höhe:

1.5 mm

Länge:

4.5 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

2.5 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

- 2 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

70

Pd - Verlustleistung:

1000 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.004603 oz

Tags

2DA1213O, 2DA121, 2DA12, 2DA1, 2DA