TN0106N3-G-P013

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Mikrochip

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-92-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

350 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

4.5 Ohms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Munitionspackung

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Mikrochip-Technologie

Abfallzeit:

3 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

3 ns

Werkspackungsmenge:

2000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

6 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

2 ns

Gewichtseinheit:

0.016000 oz

Tags

TN0106N3-G, TN0106N, TN0106, TN010, TN01, TN0