FDH50N50-F133

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-247-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

500 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

48 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

89 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

105 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

625 W

Aufbau:

Single

Verpackung:

Rohr

Höhe:

20.82 mm

Länge:

15.87 mm

Serie:

FDH50N50

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

4.82 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Abfallzeit:

230 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

360 ns

Werkspackungsmenge:

450

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

225 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

105 ns

Teil # Aliase:

FDH50N50_F133

Gewichtseinheit:

0.225401 oz

Tags

FDH50, FDH5, FDH