MTP2P50EG

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

500 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

6 Ohms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

75 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

15.75 mm

Länge:

10.53 mm

Serie:

MTP2P50E

Transistortyp:

1 P-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

4.83 mm

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

0.5 S

Abfallzeit:

19 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

14 ns

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

21 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

12 ns

Gewichtseinheit:

0.211644 oz

Tags

MTP2P50E, MTP2P, MTP2, MTP