TSM60NB190CZ C0G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Taiwan Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

18 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

170 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

31 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

150.6 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Taiwan Halbleiter

Abfallzeit:

21 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

21 ns

Werkspackungsmenge:

2000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

95 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

36 ns

Gewichtseinheit:

0.063493 oz

Tags

TSM60NB19, TSM60NB1, TSM60NB, TSM60N, TSM60, TSM6, TSM