TSM900N06CH X0G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Taiwan Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-251S-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

11 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

76 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

9.3 nC

Minimale Betriebstemperatur:

-

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

25 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Taiwan Halbleiter

Abfallzeit:

5.3 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

9.5 ns

Werkspackungsmenge:

3750

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

18.4 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

2.9 ns

Gewichtseinheit:

0.011993 oz

Tags

TSM900N0, TSM900, TSM90, TSM9, TSM