OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
Hallo, melde dich anMein Konto
0 Wagen

SI7788DP-T1-GE3

SI7788DP-T1-GE3
Mfr. #:
SI7788DP-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
Beschreibung:
RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 50A 69W 3.1mohm @ 10V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SI7788DP-T1-GE3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
VISHAY
Produktkategorie
FETs - Einzeln
Verpackung
Spule
Teil-Aliasnamen
SI7788DP-GE3
Gewichtseinheit
0.017870 oz
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
SO-8
Technologie
Si
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Aufbau
Single Quad Drain Triple Source
Transistor-Typ
1 N-Channel
Pd-Verlustleistung
5.2 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
18 ns
Anstiegszeit
21 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
20 V
ID-Dauer-Drain-Strom
29.5 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
3.1 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
45 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
44 ns
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
SI7788, SI778, SI77, SI7
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ment14 APAC
N CHANNEL MOSFET, 30V, 50A, SOIC, FULL R
***et
Trans MOSFET N-CH 30V 29.5A 8-Pin PowerPAK SO T/R
***ark
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Continuous Drain Current, Id:50000mA; Drain Source Voltage, Vds:30V; On Resistance, Rds(on):0.0041ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Threshold Voltage, Vgs Typ:2.5V; Power Dissipation, Pd:5.2W ;RoHS Compliant: Yes
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SI7788DP-T1-GE3
DISTI # SI7788DP-T1-GE3CT-ND		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		Limited Supply - Call
    SI7788DP-T1-GE3
    DISTI # SI7788DP-T1-GE3DKR-ND    		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Digi-Reel®    		Limited Supply - Call
      SI7788DP-T1-GE3
      DISTI # SI7788DP-T1-GE3TR-ND      		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 3000
      Container: Tape & Reel (TR)      		Temporarily Out of Stock
      • 3000:$1.3811
      SI7788DP-T1-GE3
      DISTI # SI7788DP-T1-GE3      		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 29.5A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Tape and Reel (Alt: SI7788DP-T1-GE3)
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 3000
      Container: Reel      		Americas - 0
      • 3000:$1.2900
      • 6000:$1.2900
      • 12000:$1.1900
      • 18000:$1.1900
      • 30000:$1.0900
      SI7788DP-T1-GE3
      DISTI # 781-SI7788DP-T1-GE3      		Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 50A 69W 3.1mohm @ 10V
      RoHS: Compliant      		4298
      • 1:$2.8900
      • 10:$2.4000
      • 100:$1.8600
      • 500:$1.6300
      • 1000:$1.5600
      • 3000:$1.5500
      SI7788DP-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 50A 69W 3.1mohm @ 10VAmericas -
        SI7788DP-T1-GE3
        DISTI # 2478982        		Vishay IntertechnologiesN CHANNEL MOSFET, 30V, 50A, SOIC, FULL R
        RoHS: Compliant        		0
        • 3000:£1.2300
        • 6000:£1.2000
        SI7788DP-T1-GE3
        DISTI # 2478982        		Vishay IntertechnologiesN CHANNEL MOSFET, 30V, 50A, SOIC, FULL REEL
        RoHS: Compliant        		0
        • 3000:$5.1000
        • 6000:$3.9100
        • 12000:$3.1400
        Bild Teil # Beschreibung
        SI7788DP-T1-GE3

        Mfr.#: SI7788DP-T1-GE3

        OMO.#: OMO-SI7788DP-T1-GE3

        		 MOSFET 30V 50A 69W 3.1mohm @ 10V
        SI7788DP-T1-GE3

        Mfr.#: SI7788DP-T1-GE3

        OMO.#: OMO-SI7788DP-T1-GE3-VISHAY

        		 RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 50A 69W 3.1mohm @ 10V
        SI7788DP

        Mfr.#: SI7788DP

        OMO.#: OMO-SI7788DP-1190

        		 Neu und Original
        SI7788DP-T1-E3

        Mfr.#: SI7788DP-T1-E3

        OMO.#: OMO-SI7788DP-T1-E3-1190

        		 Neu und Original
        Verfügbarkeit
        Aktie:
        Available
        Auf Bestellung:
        3000
        Menge eingeben:
        Der aktuelle Preis von SI7788DP-T1-GE3 dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
        Referenzpreis (USD)
        Menge
        Stückpreis
        ext. Preis
        1
        1,64 $
        1,64 $
        10
        1,55 $
        15,53 $
        100
        1,47 $
        147,15 $
        500
        1,39 $
        694,90 $
        1000
        1,31 $
        1 308,00 $
        Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
        Beginnen mit
        Top