IXTA10P15T

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-3

Anzahl der Kanäle:

3 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

150 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

10 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

350 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

15 V

Qg - Gate-Ladung:

36 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

83 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Transistortyp:

1 P-Channel

Marke:

IXYS

Abfallzeit:

12 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

16 ns

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

40 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

19 ns

Tags

IXTA10P, IXTA10, IXTA1, IXTA, IXT