BSS138K-13

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-23-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

50 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

310 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

3.5 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

500 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

0.95 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

0.54 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

7.6 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

2.5 ns

Werkspackungsmenge:

10000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

13.8 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

3.2 ns

Gewichtseinheit:

0.000317 oz

Tags

BSS138K, BSS138, BSS13, BSS1, BSS