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QPD1015L

QPD1015L
Mfr. #:
QPD1015L
Hersteller:
Qorvo
Beschreibung:
RF JFET Transistors DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
QPD1015L Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
QPD1015L Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Qorvo
Produktkategorie:
HF-JFET-Transistoren
RoHS:
Y
Transistortyp:
HEMT
Technologie:
GaN SiC
Gewinnen:
20 dB
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
50 V
Vgs - Gate-Source-Durchbruchspannung:
145 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
2.5 A
Ausgangsleistung:
70 W
Minimale Betriebstemperatur:
- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 85 C
Pd - Verlustleistung:
64 W
Montageart:
Schraubbefestigung
Paket / Koffer:
NI-360
Verpackung:
Tablett
Aufbau:
Single
Arbeitsfrequenz:
3.7 GHz
Betriebstemperaturbereich:
- 40 C to + 85 C
Serie:
QPD
Marke:
Qorvo
Entwicklungs-Kit:
QPD1015LPCB401
Produktart:
HF-JFET-Transistoren
Werkspackungsmenge:
25
Unterkategorie:
Transistoren
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
- 2.8 V
Tags
QPD101, QPD10, QPD1, QPD
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***W
RF Power Transistor, DC - 3.7 GHz, 65 W, 50 V, GaN, NI--360
***hardson RFPD
RF POWER TRANSISTOR
QPD GaN RF Transistors
Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
QPD1015L
DISTI # 772-QPD1015L		QorvoRF JFET Transistors DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
RoHS: Compliant		14
  • 1:$135.0000
  • 25:$117.0000
QPD1015L EVB
DISTI # 772-QPD1015LEB		QorvoRF Development Tools QPD1015L 960-1215MHz Eval Board
RoHS: Compliant		1
  • 1:$875.0000
Bild Teil # Beschreibung
LTC7001EMSE#PBF

Mfr.#: LTC7001EMSE#PBF

OMO.#: OMO-LTC7001EMSE-PBF

 Gate Drivers Fast 150V Hi Side NMOS Static Switch Drv
TPS563210ADDFT

Mfr.#: TPS563210ADDFT

OMO.#: OMO-TPS563210ADDFT

 Switching Voltage Regulators AUGUSTA 3A TEST SPIN
PL-USB2-BLASTER

Mfr.#: PL-USB2-BLASTER

OMO.#: OMO-PL-USB2-BLASTER

 Programmer Accessories USB 2.0 Prog Cable FPGA CPLD Ser Conf
MCU0805PD1001DP500

Mfr.#: MCU0805PD1001DP500

OMO.#: OMO-MCU0805PD1001DP500

 Thin Film Resistors - SMD .400W 1Kohms .5% 0805 25ppm Hi Power
TPS563210ADDFT

Mfr.#: TPS563210ADDFT

OMO.#: OMO-TPS563210ADDFT-TEXAS-INSTRUMENTS

 Conv DC-DC 4.5V to 17V Synchronous Step Down Single-Out 0.76V to 7V 3A 8-Pin SOT-23 T/R
VLS6045EX-2R2N

Mfr.#: VLS6045EX-2R2N

OMO.#: OMO-VLS6045EX-2R2N-TDK

 Fixed Inductors 2.2uH 0.019ohms 7.5A
10314-52A0-008

Mfr.#: 10314-52A0-008

OMO.#: OMO-10314-52A0-008-3M

 D-Sub Backshells 14P JUNCTION SHELL
600S820FT250XT

Mfr.#: 600S820FT250XT

OMO.#: OMO-600S820FT250XT-AMERICAN-TECHNICAL-CERAMICS

 Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 250volts 82pF 1%
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
3500
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Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
135,00 $
135,00 $
25
117,00 $
2 925,00 $
100
101,00 $
10 100,00 $
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