NTQD6866R2G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TSSOP-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

6.9 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

30 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

12 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.95 mm

Länge:

3.1 mm

Transistortyp:

2 N-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

4.5 mm

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

14 S

Abfallzeit:

75 ns, 90 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

45 ns

Werkspackungsmenge:

4000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

35 ns, 40 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

8 ns, 10 ns

Gewichtseinheit:

0.005573 oz

Tags

NTQD6866R, NTQD68, NTQD6, NTQD, NTQ