TSM1NB60SCT A3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Taiwan Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-92-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

500 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

10 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

6.1 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.5 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Munitionspackung

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Taiwan Halbleiter

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

0.8 S

Abfallzeit:

14.9 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

6.8 ns

Werkspackungsmenge:

2000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

15.3 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

7.7 ns

Gewichtseinheit:

0.016000 oz

Tags

TSM1NB, TSM1N, TSM1, TSM