FPNH10

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

HF-Bipolartransistoren

RoHS:

T

Transistortyp:

Bipolar

Technologie:

Si

Polarität des Transistors:

NPN

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

60

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

25 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

3 V

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

0.05 A

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Aufbau:

Single

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-92

Verpackung:

Schüttgut

Kollektor- Basisspannung VCBO:

30 V

DC-Stromverstärkung hFE Max:

60 at 4 mA at 10 V

Höhe:

4.7 mm

Länge:

4.7 mm

Arbeitsfrequenz:

650 MHz

Typ:

Bipolares HF-Kleinsignal

Breite:

3.93 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

650 MHz (Min)

Maximaler DC-Kollektorstrom:

0.05 A

Pd - Verlustleistung:

350 mW

Produktart:

HF-Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

2000

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.006286 oz

Tags

FPN