IXTT16N10D2

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-268-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

16 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

64 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

225 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

830 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erschöpfung

Verpackung:

Rohr

Serie:

IXTT16N10

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

IXYS

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

7 S

Abfallzeit:

70 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

43 ns

Werkspackungsmenge:

30

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

340 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

45 ns

Gewichtseinheit:

0.229281 oz

Tags

IXTT16N, IXTT16, IXTT1, IXTT, IXT