IXTY02N50D

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

500 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

200 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

30 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

-

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

-

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.1 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erschöpfung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

2.38 mm

Länge:

6.73 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

IXTY02N50

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

-

Breite:

6.22 mm

Marke:

IXYS

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

-

Entwicklungs-Kit:

-

Abfallzeit:

4 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

4 ns

Werkspackungsmenge:

70

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

28 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

9 ns

Gewichtseinheit:

0.081130 oz

Tags

IXTY02N50D, IXTY02N5, IXTY02, IXTY0, IXTY, IXT