STD6N60DM2

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

DPAK-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

3.2 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.1 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3.25 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

6.2 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

60 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

MDmesh

Serie:

STD6N60DM2

Transistortyp:

1 N Channel

Marke:

STMicroelectronics

Abfallzeit:

19.6 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

5.6 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

12 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

9.2 ns

Tags

STD6N6, STD6N, STD6, STD