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T1G4020036-FL

T1G4020036-FL
Mfr. #:
T1G4020036-FL
Hersteller:
Qorvo
Beschreibung:
RF JFET Transistors DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
T1G4020036-FL Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
T1G4020036-FL Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Cree, Inc.
Produktkategorie:
HF-JFET-Transistoren
RoHS:
N
Transistortyp:
HEMT
Technologie:
GaN
Gewinnen:
12 dB
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
120 V
Vgs - Gate-Source-Durchbruchspannung:
- 10 V, 2 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
12 A
Ausgangsleistung:
85 W
Maximale Drain-Gate-Spannung:
28 V
Minimale Betriebstemperatur:
- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Montageart:
Schraubbefestigung
Paket / Koffer:
CG2H30070F
Verpackung:
Schüttgut
Aufbau:
Single
Arbeitsfrequenz:
0.5 GHz to 3 GHz
Marke:
Wolfspeed / Cree
Produktart:
HF-JFET-Transistoren
Werkspackungsmenge:
1
Unterkategorie:
Transistoren
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
- 2.8 V
Tags
T1G402, T1G4, T1G
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***hardson RFPD
RF POWER TRANSISTOR GAN
QPD GaN RF Transistors
Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
T1G4020036-FL
DISTI # 20395646		TriQuint SemiconductorRF POWER TRANSISTOR GAN8
  • 1:$623.1000
T1G4020036-FL
DISTI # 772-T1G4020036-FL		QorvoRF JFET Transistors DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt
RoHS: Compliant		25
  • 1:$656.0000
T1G4020036-FL-EVB
DISTI # 772-T1G4020036FLEVB		QorvoRF Development Tools
RoHS: Compliant		0
  • 1:$875.0000
1110866
DISTI # T1G4020036-FL		QorvoRF POWER TRANSISTOR
RoHS: Compliant		8
  • 1:$355.6900
Bild Teil # Beschreibung
HMC739LP4E

Mfr.#: HMC739LP4E

OMO.#: OMO-HMC739LP4E

 VCO Oscillators MMIC VCO ,RF/2 & Div/16, 23.8-26.8GHz
HMC739LP4E

Mfr.#: HMC739LP4E

OMO.#: OMO-HMC739LP4E-ANALOG-DEVICES

 VCO Oscillators MMIC VCO RF/2 & Div/16 23.8-26.8GHz
CGA5L1X7R1V106K160AC

Mfr.#: CGA5L1X7R1V106K160AC

OMO.#: OMO-CGA5L1X7R1V106K160AC-TDK

 Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1206 10uF 35volts X7R 10% T=1.6mm
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
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