PTFA211801F V4 R250

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

HF-MOSFET-Transistoren

RoHS:

Y

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Technologie:

Si

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1.3 A

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

65 V

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

50 mOhms

Gewinnen:

17.5 dB

Ausgangsleistung:

180 W

Minimale Betriebstemperatur:

- 40 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

H-34288-4/2

Verpackung:

Spule

Aufbau:

Single

Höhe:

4.11 mm

Länge:

23.11 mm

Arbeitsfrequenz:

2170 MHz

Typ:

HF-Leistungs-MOSFET

Breite:

13.72 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Kanalmodus:

Erweiterung

Pd - Verlustleistung:

56.5 W

Produktart:

HF-MOSFET-Transistoren

Werkspackungsmenge:

250

Unterkategorie:

MOSFETs

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Teil # Aliase:

FA211801FV4R25XT

Tags

PTFA211801F, PTFA2118, PTFA211, PTFA21, PTFA2, PTFA, PTF