2N7002DW H6327

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-363-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

300 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.6 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

600 pC, 600 pC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

500 mW (1/2 W)

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.9 mm

Länge:

2 mm

Serie:

2N7002

Transistortyp:

2 N-Channel

Breite:

1.25 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

200 mS, 200 mS

Abfallzeit:

3.1 ns, 3.1 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

3.3 ns, 3.3 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

5.5 ns, 5.5 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

3 ns, 3 ns

Teil # Aliase:

2N7002DWH6327XTSA1 2N72DWH6327XT SP000917596

Gewichtseinheit:

0.000265 oz

Tags

2N7002DWH6, 2N7002DWH, 2N7002DW, 2N7002D, 2N7002, 2N700, 2N70, 2N7