IRFH7911TR2PBF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PQFN-18

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

13 A

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

8.3 nC, 34 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.4 W, 3.4 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

StarkIRFET

Verpackung:

Spule

Höhe:

1 mm

Länge:

6 mm

Transistortyp:

2 N-Channel

Breite:

5 mm

Marke:

Infineon / IR

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

17 S, 106 S

Abfallzeit:

5.9 ns, 14 ns

Feuchtigkeitsempfindlich:

ja

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

15 ns, 35 ns

Werkspackungsmenge:

400

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

12 ns, 28 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

12 ns, 22 ns

Teil # Aliase:

SP001565986

Gewichtseinheit:

0.017637 oz

Tags

IRFH791, IRFH79, IRFH7, IRFH, IRF