NTGS3136PT1G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TSOP-6

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

5.1 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

33 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

8 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.25 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.94 mm

Länge:

3 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

NTGS3136P

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

1.5 mm

Marke:

ON Semiconductor

Abfallzeit:

9 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

9 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

99 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

9 ns

Gewichtseinheit:

0.000705 oz

Tags

NTGS3136, NTGS31, NTGS3, NTGS, NTG