RTF010P02TL

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-323T-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

280 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

12 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

800 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.77 mm

Länge:

2 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

RTF010P02

Transistortyp:

1 P-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

1.7 mm

Marke:

ROHM Halbleiter

Abfallzeit:

8 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

8 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

25 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

9 ns

Teil # Aliase:

RTF010P02

Tags

RTF010P02T, RTF010, RTF01, RTF0, RTF