SI4622DY-T1-E3

SI4622DY-T1-E3
Mfr. #:
SI4622DY-T1-E3
Hersteller:
Vishay
Beschreibung:
RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 8.0A 3.3/3.1W 16/26.4mohm @ 10V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SI4622DY-T1-E3 Datenblatt
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DHL FedEx Ups TNT EMS
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SI4622DY-T1-E3 DatasheetSI4622DY-T1-E3 Datasheet (P4-P6)SI4622DY-T1-E3 Datasheet (P7-P9)SI4622DY-T1-E3 Datasheet (P10-P12)SI4622DY-T1-E3 Datasheet (P13-P14)
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Vishay Siliconix
Produktkategorie
FETs - Arrays
Serie
SkyFETR, TrenchFETR
Verpackung
Band & Spule (TR)
Paket-Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Oberflächenmontage
Lieferanten-Geräte-Paket
8-SO
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
Leistung max
3.3W, 3.1W
Drain-zu-Source-Spannung-Vdss
30V
Eingangskapazität-Ciss-Vds
2458pF @ 15V
FET-Funktion
Standard
Strom-Dauer-Drain-Id-25°C
8A
Rds-On-Max-Id-Vgs
16 mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs-th-Max-Id
2.5V @ 1mA
Gate-Lade-Qg-Vgs
60nC @ 10V
Tags
SI4622D, SI4622, SI462, SI46, SI4
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Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET N-CH 30V 8A/6.7A 8-Pin SOIC N T/R
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SI4622DY-T1-E3
DISTI # SI4622DY-T1-E3-ND
Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)
Limited Supply - Call
    SI4622DY-T1-E3
    DISTI # 781-SI4622DY-E3
    Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 8.0A 3.3/3.1W 16/26.4mohm @ 10V
    RoHS: Compliant
    0
      Bild Teil # Beschreibung
      SI4622DY-T1-GE3

      Mfr.#: SI4622DY-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SI4622DY-T1-GE3

      MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4816BDY-T1-GE3
      SI4622DY-T1-GE3

      Mfr.#: SI4622DY-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SI4622DY-T1-GE3-VISHAY

      RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 8.0A 3.3/3.1W 16/26.4mohm @ 10V
      SI4622DY-T1-E3

      Mfr.#: SI4622DY-T1-E3

      OMO.#: OMO-SI4622DY-T1-E3-VISHAY

      RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 8.0A 3.3/3.1W 16/26.4mohm @ 10V
      SI4622DY-T1-E3 GE3

      Mfr.#: SI4622DY-T1-E3 GE3

      OMO.#: OMO-SI4622DY-T1-E3-GE3-1190

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