BSO220N03MDGXUMA1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

7.7 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

18.3 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

10 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

OptiMOS

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.75 mm

Länge:

4.9 mm

Serie:

OptiMOS 3M

Transistortyp:

2 N-Channel

Breite:

3.9 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

9 S

Abfallzeit:

3.4 ns

Feuchtigkeitsempfindlich:

ja

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

2.8 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

6.4 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

5.7 ns

Teil # Aliase:

BSO220N03MD BSO22N3MDGXT G SP000447478

Gewichtseinheit:

0.019048 oz

Tags

BSO220N03MDG, BSO220N03MD, BSO220N0, BSO22, BSO2, BSO