SI4952DY-T1-GE3

SI4952DY-T1-GE3
Mfr. #:
SI4952DY-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
Beschreibung:
RF Bipolar Transistors MOSFET Dual N-Ch MOSFET 25V 23mohm @ 10V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SI4952DY-T1-GE3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Vishay Siliconix
Produktkategorie
FETs - Arrays
Serie
GrabenFETR
Verpackung
Digi-ReelR Alternative Verpackung
Teil-Aliasnamen
SI4952DY-GE3
Gewichtseinheit
0.006596 oz
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technologie
Si
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Oberflächenmontage
Anzahl der Kanäle
2 Channel
Lieferanten-Geräte-Paket
8-SO
Aufbau
Dual
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
Leistung max
2.8W
Transistor-Typ
2 N-Channel
Drain-zu-Source-Spannung-Vdss
25V
Eingangskapazität-Ciss-Vds
680pF @ 13V
FET-Funktion
Logik-Level-Gate
Strom-Dauer-Drain-Id-25°C
8A
Rds-On-Max-Id-Vgs
23 mOhm @ 7A, 10V
Vgs-th-Max-Id
2.2V @ 250μA
Gate-Lade-Qg-Vgs
18nC @ 10V
Pd-Verlustleistung
1.8 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
50 ns
Anstiegszeit
50 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
16 V
ID-Dauer-Drain-Strom
7 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
25 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
23 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
20 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
15 ns
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
SI4952DY-T, SI4952D, SI4952, SI495, SI49, SI4
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Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SI4952DY-T1-GE3
DISTI # SI4952DY-T1-GE3TR-ND
Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)
Limited Supply - Call
    SI4952DY-T1-GE3
    DISTI # 781-SI4952DY-T1-GE3
    Vishay IntertechnologiesMOSFET Dual N-Ch MOSFET 25V 23mohm @ 10V
    RoHS: Compliant
    0
      Bild Teil # Beschreibung
      SI4952DY-T1-GE3

      Mfr.#: SI4952DY-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SI4952DY-T1-GE3

      MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4214DDY-GE3
      SI4952DY-T1-E3

      Mfr.#: SI4952DY-T1-E3

      OMO.#: OMO-SI4952DY-T1-E3

      MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4214DDY-GE3
      SI4952DY-T1-E3

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      OMO.#: OMO-SI4952DY-T1-E3-VISHAY

      RF Bipolar Transistors MOSFET 25V 8.0A 2.8W
      SI4952DY-T1-GE3

      Mfr.#: SI4952DY-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SI4952DY-T1-GE3-VISHAY

      RF Bipolar Transistors MOSFET Dual N-Ch MOSFET 25V 23mohm @ 10V
      SI4952DY

      Mfr.#: SI4952DY

      OMO.#: OMO-SI4952DY-1190

      Neu und Original
      SI4952DY-T1

      Mfr.#: SI4952DY-T1

      OMO.#: OMO-SI4952DY-T1-1190

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