APT6M100K

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Mikrochip

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

1 kV

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

6 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

2.05 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

43 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

225 W

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

POWER MOS 8

Höhe:

9.19 mm

Länge:

10.26 mm

Breite:

4.72 mm

Marke:

Mikrochip / Mikrosemi

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

5.6 S

Abfallzeit:

5.4 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

5.8 ns

Werkspackungsmenge:

171

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

22 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

6.4 ns

Gewichtseinheit:

0.211644 oz

Tags

APT6, APT