DMG6968UDM-7

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-26-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

6.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

24 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

900 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

4.5 V

Qg - Gate-Ladung:

8.8 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

850 mW

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.1 mm

Länge:

3 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

DMG6968UDM

Transistortyp:

2 N-Channel

Breite:

1.6 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

234 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

78 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

562 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

53 ns

Gewichtseinheit:

0.000529 oz

Tags

DMG6968UDM-7, DMG6968UD, DMG6968U, DMG69, DMG6, DMG