2N2368 PBFREE

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Zentraler Halbleiter

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-18-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

15 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

40 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

4.5 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

0.25 V

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

400 MHz

Serie:

2N23

DC-Stromverstärkung hFE Max:

60 at 10 mA, 1 V

Verpackung:

Schüttgut

Marke:

Zentraler Halbleiter

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

10 mA

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

20 at 10 mA, 1 V

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

2000

Unterkategorie:

Transistoren

Tags

2N2368, 2N236, 2N23, 2N2