RJ1P12BBDTLL

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

120 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

5.8 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

80 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

178 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

ROHM Halbleiter

Abfallzeit:

54 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

33 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

125 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

37 ns

Tags

RJ1P, RJ1