DMC1229UFDB-13

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

DFN2020-B-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

12 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

5.6 A, 3.8 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

17 mOhms, 37 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

400 mV, 1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

8 V

Qg - Gate-Ladung:

19.6 nC, 17.9 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.4 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Serie:

DMC1229

Transistortyp:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

-

Abfallzeit:

4.1 ns, 26.4 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

10.5 ns,11.5 ns

Werkspackungsmenge:

10000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

16.6 ns, 27.8 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

5 ns, 5.7 ns

Gewichtseinheit:

0.000229 oz

Tags

DMC12, DMC1, DMC