SSM3K56MFV,L3F

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Toshiba

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-723-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

800 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

186 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

400 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

8 V

Qg - Gate-Ladung:

1 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

500 mW (1/2 W)

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.5 mm

Länge:

1.2 mm

Serie:

SSM3K56

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

0.8 mm

Marke:

Toshiba

Produktart:

MOSFET

Werkspackungsmenge:

8000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

8.5 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

5.5 ns

Tags

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