SQJ204EP-T1_GE3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Vishay

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PowerPAK-SO-8L-4

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

12 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

20 A, 60 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

3 mOhms, 8.3 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

500 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

12 V

Qg - Gate-Ladung:

20 nC, 50 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

27 W, 48 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Serie:

SQ

Marke:

Vishay / Siliconix

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

38 S, 66 S

Abfallzeit:

5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

5 ns, 27 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

22 ns, 34 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

10 ns, 17 ns

Tags

SQJ20, SQJ2, SQJ